열및물질 연구실에서 나노스케일 고분자 박막의 열팽창계수 이방성 측정 방법을 개발하여 ACS Applied Materials and Interfaces에 발표하였습니다. 고분자 재료는 차세대 반도체의 이종접합 계면을 이루는 중요한 물질이나, 발열 현상에 따라 반도체 패키징의 열화를 가하여 공정 개발 및 작동에 어려움을 겪고 있습니다. 이에 본 연구는 고분자 박막을 공정 방법에 따라서 열팽창 계수의 방향성이 달라질 수 있다는 것을 나노스케일에서 최초로 규명하였습니다. 본 연구를 통해 물질의 정확한 열팽창 계수 규명이 가능해져, 반도체 패키징의 열화를 줄일 수 있는 토대를 마련했습니다. 본 연구는 미국 Stanford University 와 국제 공동연구로 수행하였고, 한국 연구재단의 지원으로 진행되었습니다.
출간된 논문: https://doi.org/10.1021/acsami.3c03728
